相補型酸化物半導体の基盤構築：国際頭脳循環によるLSI×TFT技術の融合
| 体系的番号 |
JPMJAP2534 |
研究代表者 |
井手 啓介 東京科学大学, 総合研究院, 助教
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| 研究期間 (年度) |
2025 – 2028
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| 概要 | 酸化物 TFT は低温作製かつ高移動度をもつため、ポスト Si 候補として注目されるが、低消費電力に必須の高性能 p 型 TFT が未確立である。本課題では SnO 系の極性可逆制御を基盤に、 n 型並み移動度と安定閾値を備えた p 型プロセスを確立し、相補型酸化物半導体（COS）インバータを実証する。１年目は水素化処理を系統的に調査し、キャリア反転機構と欠陥起源を解明しつつ試作素子の成果を国際誌へ報告する。最終的には、n／p TFT を基盤とする高密度・低消費電力酸化物メモリセルを実現し、ハイインパクトな国際共著論文として公表できるものと見込む。
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| 研究領域 | 半導体 |
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