p型2次元半導体材料の三次元集積回路、加工およびエピキャシタル成長
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JPMJAP2531 |
研究代表者 |
トン ヴィンセント 東京大学, 大学院工学系研究科, 教授
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| 研究期間 (年度) |
2025 – 2028
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| 概要 | 本研究は、誘電体基板上へのp型2次元半導体の直接成長という半導体サプライチェーンの重要課題に挑む。ALD援用エピタキシーにより、400℃以下・転写不要・基板サイズ非依存のスケーラブルな低温成長技術を確立し、集積性とデバイス性能を飛躍的に向上させる。日本側は、誘電体上でのp型2次元半導体の単結晶成長に取り組み、次世代電子・光デバイスの基盤技術を確立する。米国側は、その材料を活用した革新的デバイスアーキテクチャと実装技術を開発し、材料研究と応用の橋渡しを担う。日米の連携により、半導体産業基盤と人材育成体制を強化し、グローバルな材料革新を先導する枠組みを構築する。
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| 研究領域 | マテリアル |
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