抵抗変化型スマネンメモリによるバイナリーニューラルネットワークとインメモリコンピューティング応用に向けた技術開発

研究課題

体系的番号	JPMJTR25RM
研究責任者	三谷祐一郎東京都市大学, 理工学部, 教授
研究期間 (年度)	2025 – 2027 (予定)
概要	現在のGPUなどのAIアクセラレータを超える低消費電力化、小型化、高速処理の脳型コンピューティング実現に向けて、不揮発性メモリを用いた高性能なインメモリコンピューティングが期待されている。これまで不揮発性メモリで高い性能を得るには、希少性の高いレアメタルや有害な物質、環境負荷の大きい元素を用いたものが多く、素子の製造工程も高温を要する。そこで、椀上の炭素分子であるスマネンを2層のグラフェン間に挟み込んだ構造を有し大きな抵抗変化率を示す、オールカーボン抵抗変化型不揮発性メモリ素子に着目する。本開発ではこの新型メモリのインメモリコンピューティング応用に向けた要素技術開発とその性能実証を目指す。