原子層膜厚制御に向けた超高速ガス制御および高分解能プラズマ計測技術の開発

研究課題

体系的番号	JPMJTR25R3
研究責任者	大西亘東京大学, 大学院工学系研究科, 准教授
研究期間 (年度)	2025 – 2027 (予定)
概要	半導体デバイスの微細化および3次元化の進展により、原子層レベルでの膜厚制御が極めて重要となっている。特に原子層堆積（ALD）や原子層エッチング（ALE）では、反応ガスの供給タイミングとプラズマ電場の精密制御が成膜品質を左右する。本研究では、東京大学が開発する超高速応答バルブによる十ミリ秒オーダーのガス流量制御と、埼玉大学が開発する共焦点分光による±1%精度・1μm分解能の電場計測技術を統合し、リアルタイムかつ高再現性のプロセス制御を実現する。さらに反復学習制御により、装置の個体差や経年変化を補償し、量産化を見据えたプロセス自動最適化技術の確立を目指す。