| 体系的番号 |
JPMJPR25L3 |
研究代表者 |
庄司 雄哉 東京科学大学, 総合研究院, 准教授
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| 研究期間 (年度) |
2025 – 2028
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| 概要 | シリコンフォトニクス上の磁気光学材料の集積プロセスとそれを用いた磁気不揮発型の光スイッチを開発し、他の材料系では実現不可能な超高耐久の書き換え回数を実現します。さらに、磁気光学効果の非相反性を利用して制御性の高い正負演算が可能な光積和演算デバイスを作製し、ニューラルネットワークの高繰り返しの学習演算を実証します。
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| 研究領域 | 光でつなぐ情報と物理の融合分野の開拓 |
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