界面構造制御による高感度ペロブスカイト光センサの開発
| 体系的番号 |
JPMJPR25H6 |
研究代表者 |
中村 智也 京都大学, 化学研究所, 助教
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| 研究期間 (年度) |
2025 – 2028
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| 概要 | 本研究では、鉛–スズ（Pb–Sn）混合ハライドペロブスカイト半導体を用いた光センサの開発に取り組みます。これまで培ってきた材料・デバイス作製技術を基盤として、2次元型ペロブスカイト結晶の詳細な構造解析を通じて、分子レベルでペロブスカイト層上下界面の構造を制御し、暗電流の抑制を図ります。これにより、従来のSi光センサを超える高感度な近赤外光検出を可能とする次世代光センサの実現を目指します。
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| 研究領域 | 新原理デバイス創成のためのナノマテリアル |
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