| 体系的番号 |
JPMJPR250C |
研究代表者 |
松井 直喜 東京科学大学, 総合研究院, 助教
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| 研究期間 (年度) |
2025 – 2028
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| 概要 | 本研究では、イオン導電体における孤立電子対の動的な「ゆらぎ」がイオン輸送に及ぼす影響を解明し、孤立電子対ゆらぎを制御することで超イオン導電体の創出を目指します。元素や構造ごとに異なる孤立電子対の立体化学的活性と、その時空間的ゆらぎがイオン輸送に与える影響を明らかにします。さらに、孤立電子対ゆらぎを増強するための材料設計指針を確立し、実際の材料探索を通じて、優れたイオン導電率を持つ超イオン導電体の開発を目指します。
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| 研究領域 | ゆらぎの理解と制御による材料革新 |
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