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エッジ AI 半導体を実現する3D ヘテロ集積技術

研究課題

戦略的な研究開発の推進 次世代エッジAI半導体研究開発事業 次世代エッジAI半導体研究開発事業

体系的番号 JPMJES2522

研究代表者

田中 徹  東北大学, 大学院医工学研究科, 教授

研究期間 (年度) 2025 – 
概要将来のエッジAI半導体に必須となる3Dヘテロ集積基盤技術として、①超低消費電力チップの超並列高速アセンブリ積層、②高信頼低温接合とハイブリッドインターポーザ、③マルチスケール高放熱、をコアテーマとし、材料科学からシステム設計まで幅広い分野の研究者が結集して、研究開発を実施する。得られた研究成果は、3D集積の開発実績を持つ企業や橋渡し先候補企業から、事業性、量産性、コスト競争性、環境対応などに関する助言を受けながら、確実な橋渡しと早期社会実装の実現を目指す。本研究は我が国のアカデミアと産業の国際競争力強化に大きく貢献するものである。
研究領域3D集積技術

報告書

(1件)
  • 2025 年次報告書 ( PDF )

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2026-08-17  

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