高効率AIシステム向けSiC MOSFET用AI制御アクティブゲートドライバの開発
| 体系的番号 |
JPMJKB2604 |
研究代表者 |
舟木 剛 大阪大学, 大学院工学研究科, 教授
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| 研究期間 (年度) |
2026 – 2028
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| 概要 | 本研究は、AIデータセンター向けの高電圧直流給電に対応した高効率・低EMI（Electromagnetic Interference）ノイズ・高信頼な電力変換回路の実現を目的とする。高速動作可能なSiC MOSFETを用い、スイッチング損失、サージ電圧、電磁ノイズ、熱ストレスによる信頼性劣化といった課題に対し、AI を用いたゲート駆動制御により多目的最適化を図る。台湾大学は、AI制御に適した構造の800VクラスSiC MOSFETをTCADにより設計・試作し、ゲート電圧の応答モデルを構築する。大阪大学は、再構成可能なデジタルアクティブゲートドライバを開発し、AIによる制御シーケンス最適化を通じて、損失・ノイズ・信頼性の改善を実証する。日台両チームの連携により、次世代電源制御技術の確立を目指す。
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| 研究領域 | AIシステム構成に資するナノエレクトロニクス技術 |
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