| 体系的番号 |
JPMJER8102 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJER8102 |
研究代表者 |
西澤 潤一 東北大学, 電気通信研究所, 教授
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| 研究期間 (年度) |
1981 – 1986
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| 概要 | 完全結晶技術と静電誘導制御理論を組合わせることを基本とし、結晶欠陥の極めて少ないシリコン、ガリウム砒素等の結晶材料を追求することにより、超高速素子、大電力素子、光学機能素子などの創出をねらいとしました。研究では、ガリウム砒素系化合物結晶について、化学量論的組成を得るための生成法、成長法を追求し、不純物混入のない完全な結晶育成技術を確立しました。その後、この成果をもとに開発が行われ、GaAs大型単結晶引き上げ技術が企業化されました。また、分子精度で結晶成長できる光励起分子層エピタキシャル成長法を実現しました。さらに、高速、低雑音、低消費電力等の静電誘導効果の特徴を利用した両面ゲート型静電誘導サイリスタ、光学機能素子などの作成を行い、新世代の素子群としての可能性を見い出しました。
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