研究代表者 |
黒田 晴雄 東京大学, 理学部, 教授
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| 研究期間 (年度) |
1985 – 1990
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| 概要 | 固体の表面で起こる現象を原子、分子レベルで追求、制御することにより、新規な固体表面修飾手法と、それを利用した優れた機能を有する物質の創出を目指しました。研究により、シリコン単結晶表面の清浄化、水素修飾による安定化の手法を確立しました。得られた表面は簿膜形成時の下地効果、電子線照射によるパターニング効果に優れ、半導体技術への発展が期待されます。また、稀土類金属の人工超格子が特異磁性を示すことを発見、金属の磁気特性の研究に新しい方向を示しました。さらに、光化学反応によるカルボニル錯体の修飾、カードハウス構造を有するクレー層間化合物の作製など、新規な物質系の表面科学的合成という新しい分野の開拓に多くの手掛かりを得ました。
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