| 体系的番号 |
JPMJER8702 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJER8702 |
研究代表者 |
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| 研究期間 (年度) |
1987 – 1992
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| 概要 | 「電波」と「光」の中間に位置するテラヘルツ(一兆ヘルツ)領域では、半導体素子構造は分子・原子レベルの単位の微細化が要求されます。このため、電子の平均自由行程よりも小さな半導体結晶中の電子の挙動、光と格子振動の相互作用や量子効果についての解析およびそれらの制御方法の検討を行いました。研究では、光励起分子層エピタキシャル成長技術などにより、理想型静電誘導トランジスタ(ISIT)やタンネットダイオードの試作を行いました。またGaP半導体ラマンレーザで300mWという超低しきい値発振の実現と、これらによる光ヘテロダイン復調実験にも成功しました。さらに、1.4THzで500V/Wの検出感度のショットキー・ダイオード等のテラヘルツ帯回路素子や広帯域光ファイバー通信の実現の手掛かりを得ました。
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