| 体系的番号 |
JPMJER9301 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJER9301 |
研究代表者 |
田中 俊一郎 株式会社東芝, 研究開発センター, 研究主幹
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| 研究期間 (年度) |
1993 – 1998
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| 概要 | 固体の接合などで界面が形成される過程を原子および原子集団の大きさで動的に解明し、界面近傍における諸現象および界面物性とともに形成支配因子を把握し、融合界面を設計・制御する可能性を探りました。研究の結果、セラミックス接合時の原子の振る舞いを透過型電子顕微鏡で直視することに成功し、接合過程を支配する素反応や融体の濡れに先行する原子層の存在を初めて明らかにしました。半導体の界面では金属や絶縁層との電位障壁高さを制御しその分布をnmの分解能で画像化しました。界面近傍に残留する応力や歪の分布を最小25nmの領域で実測し界面電子構造や機械強度への影響を把握しました。従来困難であったA、Wなどの易酸化性金属超微粒子の生成と移動・回転・融合および埋込操作などを電子線照射法で可能にしました。これら研究結果は、界面形成素過程解明だけでなく界面が規定する諸特性の改善に寄与し、界面設計・制御の手法を提言して新規素子創製や材料設計に役立つ可能性を示しています。
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