酸化膜除去とプラズマによる半導体作成

研究課題

体系的番号	JPMJPR91F4
DOI	https://doi.org/10.52926/JPMJPR91F4
研究代表者	尾笹一成理化学研究所, 研究員
研究期間 (年度)	1991 – 1994
概要	電子ビームを用いた微細加工法及び光励起活性分子を利用した多元の原子層エピタキシー法を検討し、これらを組み合わせた化合物半導体(AlGaAs等)の3次元微細ヘテロ構造の製作方法の確立を目指します。
研究領域	構造と機能物性