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半導体表面の原子配列とその電気伝導

研究課題

戦略的な研究開発の推進 戦略的創造研究推進事業 さきがけ

体系的番号 JPMJPR91FA
DOI https://doi.org/10.52926/JPMJPR91FA

研究代表者

長谷川 修司  東京大学, 理学部, 助手

研究期間 (年度) 1991 – 1994
概要反射高速電子回折や新しい表面分析法(全反射角X線分光法)等を用いて、半導体表面・界面の構造・組成を原子レベルで解析・制御しながら、その電気的特性を測定し、ミクロな構造に敏感に依存した物性を追求します。
研究領域構造と機能物性

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2016-04-26   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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