半導体表面の原子配列とその電気伝導

研究課題

研究代表者	長谷川修司東京大学, 理学部, 助手
研究期間 (年度)	1991 – 1994
概要	反射高速電子回折や新しい表面分析法(全反射角X線分光法)等を用いて、半導体表面・界面の構造・組成を原子レベルで解析・制御しながら、その電気的特性を測定し、ミクロな構造に敏感に依存した物性を追求します。
研究領域	構造と機能物性