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III-V族磁性半導体超構造の光誘起磁性

研究課題

戦略的な研究開発の推進 戦略的創造研究推進事業 さきがけ

体系的番号 JPMJPR9737
DOI https://doi.org/10.52926/JPMJPR9737

研究代表者

宗片 比呂夫  東京工業大学, 大学院理工学研究科, 助教授

研究期間 (年度) 1997 – 2000
概要III-V族希薄磁性半導体という新奇な材料の特異な性質「キャリア誘起磁性」を解明し、光による磁性の制御に必要な基礎的知見を得ること目的として研究を行います。これにより、半導体と磁性体の両研究分野で基礎・応用の両面で新しい展開をはかることをねらいとしています。
研究領域状態と変革

報告書

(1件)
  • 2000 終了報告書 ( PDF )

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2016-04-26   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2026-01-15  

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