同位体制御による半導体物性デザイン

研究課題

研究代表者	伊藤公平慶應義塾大学, 理工学部, 専任講師
研究期間 (年度)	1998 – 2001
概要	Si、Ge、 GaAs等の半導体材料を構成する元素には複数の安定同位体が存在します。本研究では半導体中の同位体組成を制御することから、電気伝導度、熱伝導度等の物性値に対する同位体効果を明らかにし、新しい機能をもった半導体のデザインに役立てます。
研究領域	状態と変革