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欠陥エンジニアリングによる新規強誘電機能の発現

研究課題

戦略的な研究開発の推進 戦略的創造研究推進事業 さきがけ

体系的番号 JPMJPR02N7
DOI https://doi.org/10.52926/JPMJPR02N7

研究代表者

野口 祐二  東京大学, 生産技術研究所, 助手

研究期間 (年度) 2002 – 2005
概要絶縁層に挟まれた厚さ数ナノメートルの強誘電層では、欠陥が誘電性を劣化させることなく、特性向上の活性中心として働きます。この層状強誘電体に、電子・原子レベルでの秩序構造に、陽イオン空孔、酸素空孔および積層欠陥を積極的に導入して、利用する欠陥エンジニアリングによって分極特性を設計し、新規な強誘電機能の発現を目指します。
研究領域秩序と物性

報告書

(1件)
  • 2005 終了報告書 ( PDF )

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2016-04-26   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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