| 体系的番号 |
JPMJPR02N7 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJPR02N7 |
研究代表者 |
野口 祐二 東京大学, 生産技術研究所, 助手
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| 研究期間 (年度) |
2002 – 2005
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| 概要 | 絶縁層に挟まれた厚さ数ナノメートルの強誘電層では、欠陥が誘電性を劣化させることなく、特性向上の活性中心として働きます。この層状強誘電体に、電子・原子レベルでの秩序構造に、陽イオン空孔、酸素空孔および積層欠陥を積極的に導入して、利用する欠陥エンジニアリングによって分極特性を設計し、新規な強誘電機能の発現を目指します。
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| 研究領域 | 秩序と物性 |
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