欠陥エンジニアリングによる新規強誘電機能の発現

研究課題

研究代表者	野口祐二東京大学, 生産技術研究所, 助手
研究期間 (年度)	2002 – 2005
概要	絶縁層に挟まれた厚さ数ナノメートルの強誘電層では、欠陥が誘電性を劣化させることなく、特性向上の活性中心として働きます。この層状強誘電体に、電子・原子レベルでの秩序構造に、陽イオン空孔、酸素空孔および積層欠陥を積極的に導入して、利用する欠陥エンジニアリングによって分極特性を設計し、新規な強誘電機能の発現を目指します。
研究領域	秩序と物性