| 体系的番号 |
JPMJPR019A |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJPR019A |
研究代表者 |
渡辺 正裕 東京工業大学, 大学院総合理工学研究科, 助教授
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| 研究期間 (年度) |
2001 – 2004
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| 概要 | 本研究では、ナノ構造中の電子伝導や光-電子相互作用を人工的に制御するための基本構造として、物性の大きく異なる絶縁体、半導体および金属などの異種材料同士をナノメートル層厚で積層した人工単結晶(超ヘテロ・ナノ結晶)を提案し、その実現技術開拓と物性探査、さらには将来のデバイス応用に関する基礎的研究を行います。シリコン基板上へのエピタキシャル特性に優れた弗化物系絶縁物、シリサイド系金属などから成る超へテロ量子構造は、大規模集積回路との融合も可能な集積メモリ素子や、サブバンド間遷移光デバイスへの応用可能性を有しています。
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| 研究領域 | ナノと物性 |
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