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ナノ強磁性半導体におけるスピン注入磁化反転の研究

研究課題

戦略的な研究開発の推進 戦略的創造研究推進事業 さきがけ

体系的番号 JPMJPR0293
DOI https://doi.org/10.52926/JPMJPR0293

研究代表者

大岩 顕  東京工業大学, 像情報工学研究施設, 講師

研究期間 (年度) 2002 – 2005
概要強磁性体の磁化反転は、固体中の「スピン」を制御・変調する手段として、スピンデバイスを実現するための重要な性質です。将来、スピンデバイスが広く発展するためには、従来の外部磁場印加以外の方法で磁化方向を制御する技術の確立が重要です。本研究ではIII‐V強磁性半導体を舞台にしてスピン注入磁化反転の確立を目指します。微細加工により単磁区化したナノ強磁性半導体中のキャリアスピンの方向を光学的・電気的手法で制御して磁化方向の操作を実現します。
研究領域ナノと物性

報告書

(1件)
  • 2005 終了報告書 ( PDF )

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2016-04-26   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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