| 体系的番号 |
JPMJPR0295 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJPR0295 |
研究代表者 |
近藤 高志 東京大学, 大学院工学系研究科, 助教授
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| 研究期間 (年度) |
2002 – 2005
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| 概要 | 副格子交換操作によって空間反転した化合物半導体結晶では、2次非線形光学定数をはじめとするさまざまな物理量の符号が反転します。本研究では、副格子交換した半導体結晶を成長する手法である副格子交換エピタキシー法をより汎用性の高い基礎技術として確立することを目指し、副格子交換ヘテロ半導体の高度制御に関する研究をおこないます。
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| 研究領域 | ナノと物性 |
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