界面ナノ構造制御によるワイドギャップ半導体の機能融合とパワーデバイスへの展開
| 体系的番号 |
JPMJPR0296 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJPR0296 |
研究代表者 |
須田 淳 京都大学, 大学院工学研究科, 助手
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| 研究期間 (年度) |
2002 – 2005
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| 概要 | ワイドギャップ半導体は、エネルギー技術、情報技術のキーデバイスである、電力用・通信用パワーデバイスに最適な材料と期待されています。本研究は、化学結合が異なる2種類のワイドギャップ半導体、III族窒化物(III-N)とシリコンカーバイド(SiC)を、1原子層面内(サブ原子層)で原子配列をコントロールする「界面ナノ構造制御」により機能融合し、単独材料では実現困難な高性能パワーデバイス創製へと展開します。
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| 研究領域 | ナノと物性 |
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