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界面ナノ構造制御によるワイドギャップ半導体の機能融合とパワーデバイスへの展開

研究課題

戦略的な研究開発の推進 戦略的創造研究推進事業 さきがけ

体系的番号 JPMJPR0296
DOI https://doi.org/10.52926/JPMJPR0296

研究代表者

須田 淳  京都大学, 大学院工学研究科, 助手

研究期間 (年度) 2002 – 2005
概要ワイドギャップ半導体は、エネルギー技術、情報技術のキーデバイスである、電力用・通信用パワーデバイスに最適な材料と期待されています。本研究は、化学結合が異なる2種類のワイドギャップ半導体、III族窒化物(III-N)とシリコンカーバイド(SiC)を、1原子層面内(サブ原子層)で原子配列をコントロールする「界面ナノ構造制御」により機能融合し、単独材料では実現困難な高性能パワーデバイス創製へと展開します。
研究領域ナノと物性

報告書

(1件)
  • 2005 終了報告書 ( PDF )

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2016-04-26   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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