超Gbit-MRAMのための単結晶TMR素子の開発
| 体系的番号 |
JPMJPR029B |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJPR029B |
研究代表者 |
湯浅 新治 産業技術総合研究所, エレクトロニクス研究部門, 主任研究員
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2002 – 2005
|
| 概要 | トンネル磁気抵抗効果(TMR効果)を利用したMRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)は、不揮発・高速・高集積などの特徴を兼ね備えた究極のメモリになると期待されています。本研究では、強磁性金属およびハーフメタルの単結晶電極を用いて高出力TMR素子を開発し、次々世代の超Gbit級MRAMのための基礎技術の確立を目指します。
|
|---|
| 研究領域 | ナノと物性 |
|---|
