| 体系的番号 |
JPMJCR9883 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJCR9883 |
研究代表者 |
川原田 洋 早稲田大学, 理工学部, 教授
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| 研究期間 (年度) |
1998 – 2003
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| 概要 | ダイヤモンドのホモおよびヘテロエピタキシャル成長技術、微細加工技術の高精度化により、高電界、高周波でのデバイス動作を検討します。さらに表面吸着原子制御をnmスケールあるいは原子スケールで行い、他の半導体では不可能な超微細FETあるいは新機能デバイスの作製をめざします。表面科学と電子デバイスにおける知的資産の有機的な連携により、将来の情報通信、エネルギ一、セキュリティ産業への貢献が期待されます。
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| 研究領域 | 電子・光子等の機能制御 |
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