強相関電子系ペロブスカイト遷移金属酸化物による光エレクトロニクス
| 体系的番号 |
JPMJCR0084 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJCR0084 |
研究代表者 |
花村 榮一 千歳科学技術大学, 光科学部, 教授
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| 研究期間 (年度) |
2000 – 2005
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| 概要 | 強相関電子系ぺロブスカイト型遷移金属酸化物の特性である強い振動子強度、電子の伝播性及び超伝導を活用した光デバイス開発を目指します。第一に、可視域で発振可能なレーザ一物質の開発。第二にこれを用いたLEDとLDの作成。第三に広帯域での強い2マグノンラマン散乱や巨大非線形分極率を持つ結晶の光デバイスへの応用。第四に電子型・正孔型超伝導体と反強磁性絶縁体からなる光導波路を作成し、電子クーパ一対と正孔クーパ一対の消滅によるコヒーレン卜な超短光パルスを対発生させ、その特性を研究しデバイス化を試みます。
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| 研究領域 | 電子・光子等の機能制御 |
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