研究代表者 |
榊 裕之 東京大学, 生産技術研究所, 教授
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| 研究期間 (年度) |
1993 – 1998
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| 概要 | 電子を10nm程の半導体超薄膜に閉じ込めると、電子の量子的波動性が顕わになり、膜に垂直な方向に特定の振動数を持つ定在波状態(準位)が形成されることが知られています。本プロジェクトでは、電子を極微な細線や箱に閉じ込め、よりよく制御する技術を探索し、新しい機能や物性の研究をアメリカとの国際共同研究により行いました。 量子細線や箱構造の形成法を発展させ、電子状態の制御性を格段に高めることを目指し、自己形成量子箱やエッジ形細線やステップ細線の形成法に関して大きな進展が達成され、低次元電子の特色を明かにしました。また、各種の量子ナノ構造における量子準位間の電子遷移過程を制御することで新物性や機能の発現を目指し、準位間隔に共鳴するテラヘルツ光への応答をUCSBの自由電子レーザーの活用により調べ、低次元励起子によるテラヘルツ光と近赤外光の混合や動的 Franz-Keldysh効果を発見しました。さらに、準位間遷移による遠赤外・近赤外間の波長変換も達成しました。
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