スピン量子ドットメモリ創製のための要素技術開発

研究課題

体系的番号	JPMJCR0181
DOI	https://doi.org/10.52926/JPMJCR0181
研究代表者	猪俣浩一郎東北大学, 大学院工学研究科, 教授
研究期間 (年度)	2001 – 2006
概要	本研究は、新しい概念に基づく超大容量のスピンメモリの創製を目指しています。基本コンセプトは室温でクーロンブロッケードが発現する磁性量子ドットを開発し、そのトンネル磁気抵抗を電圧で制御することです。ナノ構造、大きな信号電圧を可能とする材料および2次元ドットアレー作製技術の開発を行います。本研究の成果として、テラビット級の不揮発性メモリの創製およびスピントロニクスの新しい展開が期待されます。
研究領域	新しい物理現象や動作原理に基づくナノデバイス・システムの創製

報告書

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