高密度励起子状態を利用したダイヤモンド紫外線ナノデバイスの開発
研究代表者 |
大串 秀世 産業技術総合研究所, 新炭素系材料開発研究センター, 総括研究員/ダイヤモンド半導体チーム長
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| 研究期間 (年度) |
2001 – 2006
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| 概要 | 当グループは、シリコン半導体並みの高品質なダイヤモンド薄膜の合成に成功し、その膜で自由励起子による強い紫外線発光(235nm)の非線形光学効果を発見しました。この現象をナノスペースで発現するようにして、ダイヤモンドでの高密度励起子状態の把握と、それから導かれる新しいコンセプト(ボーズ凝縮)による紫外線発光・センサーのナノデバイスの実現を計ります。これにより、ダイヤモンドによる携帯可能な紫外線レーザや小型超高感度紫外線センサーの開発とこれを応用した新情報技術や環境疫学の発展が期待されます。
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| 研究領域 | 新しい物理現象や動作原理に基づくナノデバイス・システムの創製 |
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