| 体系的番号 |
JPMJCR9656 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJCR9656 |
研究代表者 |
山下 努 東北大学, 電気通信研究所, 教授
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| 研究期間 (年度) |
1996 – 2001
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| 概要 | 本研究はこの積層超伝導体単結晶を用いて、半導体トランジスタやジョセフソン素子では到達できない、高性能電子スイッチ素子を開発することをめざします。この素子は単結晶の積層方向に流れる超伝導電流に磁界を加えて、電圧状態にスイッチさせるものです。本研究ではこの素子の実現のための新しいプロセス技術の開発とそのデバイス物理の解明を進めることにより、現在の高速通信と情報処理に使われている周波数の約100倍以上の周波数で動作する増幅スイッチ、記憶、検波素子の実現と、超伝導マグネット用大電流スイッチの開発をめざします。
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| 研究領域 | 極限環境状態における現象 |
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