| 概要 | 申請者は,超短パルスレーザを利用し,Si をはじめとする半導体デバイス用基板を非接触かつ無粉塵で割断する技術の開発を行なっている.これは,現用のブレードダイシングによるチッピング等のウエハ欠陥の発生を回避し,IC チップ等の益々の極薄化が進んでいるデバイスウエハ基板を非接触かつ無粉塵,材料の溶融に伴う熱応力を排除し,従来法よりも高品質で割断できることを特徴としている.さらに,洗浄水が不要なため,完全ドライプロセスが可能となり,工程が削減できるなど,生産コストの大幅削減に有効な新技術である.本申請では特に,本技術の確立のため,現存の超短パルスレーザ加工装置に,新たに精密スキャン用直動ステージを追加し,Si ウエハ基板の内部層の変質加工実験と,微小荷重による割断実験を行ない,実用化に向けた課題を明らかにする.
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