研究代表者 |
鍋谷 暢一 山梨大学, 大学院医学工学総合研究部, 助教授
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| 研究期間 (年度) |
2006
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| 概要 | 高い起電力を有し、かつ光電流を多くとれる高効率太陽電池を開発する。禁制帯中に中間準位を有する半導体混晶ZnTeO を光吸収層として採用することにより、中間準位を介した光吸収が実現でき、禁制帯幅よりも小さなエネルギーをもつ光子も有効利用する。同一プロセスで作製できる窓材料のZnO とのバンドオフセットの解明やZnS バッファ層による界面準位の抑制を図る。さらに太陽電池構造の試作および最適化を行い、50%以上の光電変換効率を目指す。
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