| 概要 | 近年、電子機器・デバイスの小型化・高集積化が急速に進展してきた。また、永久磁石等を用いた磁気デバイスも薄膜化ならびに超小型化が望まれつつある。加えて、M E M S(Micro-electro mechanical systems)など新規産業分野においても、高性能薄膜永久磁石に対する開発要求が高まっている。本課題では、スパッタリング法により、優れた垂直磁気異方性(垂直方向Jr. 1.4 T, HcJ . 1400 kA, (BH)max. 330 kJ/m3)を持つNd-Fe-B薄膜永久磁石の高速形成法及び垂直配向膜形成法を開発する。ここでは、Nd-Fe-B薄膜とFeCo薄膜の交互積層構造を提案し、これが優れた垂直磁気異方性を有するとともに、高エネルギー積を有する永久磁石薄膜となることを実証する。
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