強誘電体EL素子を用いた新規な光・電子融合型不揮発性メモリ素子の開発

研究課題

研究代表者	會澤康治金沢工業大学, 工学部情報通信工学科, 助教授
研究期間 (年度)	2006
概要	申請者は、新しい原理に基づく不揮発性メモリとして、発光層を強誘電体薄膜で挟んだ二重絶縁型強誘電体エレクトロスミネセンス(EL)素子とフォトダイオードとの組み合わせを一つの記憶セルとする光・電子融合型不揮発性メモリを考案した。考案したメモリの新規性は、書き込みデーターは強誘電体の残留分極の向きで記憶し、読み出しはEL素子からの光の強弱を直接、光電流の強弱として検出するところにある。また本構造は、従来のシリコンプロセスや最近のメモリ製造技術を用いて作製できるので実現可能性は高い。本課題では、二重絶縁型強誘電体EL素子の特性評価とPN接合ダイオードとの積層構造によるメモリ特性の評価まで視野に入れて研究を行う。