窒化インジウム(InN)薄膜成長用Si基板の開発と応用展開

研究課題

研究代表者	山本暠勇福井大学, 工学研究科, 教授
研究期間 (年度)	2006
概要	窒化インジウム(InN)は、最近の研究によって電子移動度、電子飽和ドリフト速度が従来の半導体材料に比べて格段に大きいことが明らかとなり、超高速・高周波デバイス用材料として注目されている。InN の禁止帯幅が約0.7eV であることから、光通信用発光受光素子、太陽電池などの材料としても将来性が期待されている。現在、InN 薄膜形成の研究が世界的に活発化しているが、その基板としては格子不整合率が大きく、かつ、絶縁性であるサファイアが用いられている。基板として、格子不整合率が小さく、導電性で低コストのシリコン(Si)を用いることが切望されているが、InN 薄膜の形成時にSi 表面に窒化による非晶質SiNx が形成されるため単結晶InN 膜の形成が困難という問題があった。本課題は、この問題を解決し、InN の薄膜形成用基板としてSiを使用するための新技術を開発することを目的としている。