ノーマリオフ型高電流GaN HEMTの開発

研究課題

研究代表者	水谷孝名古屋大学, 工学研究科, 教授
研究期間 (年度)	2006
概要	GaN HEMTは高周波、高耐圧、高出力で動作するトランジスタとして期待が高い。ノーマリオン型HEMTでは(2)で述べる申請者等の研究成果を含めて研究が進展し、実用化は近く、今後は大電力システムの安全設計に必須でかつ回路構成が簡単なノーマリオフ型の開発が重要な課題である。しかし従来のHEMTはゲート順バイアス電圧は1V程度が上限であり、寄生抵抗の増大、オン電流の低下という課題はノーマリオフ型ではより顕著となり開発の大きな障害となっている。本申請ではこの課題を解決する方法として新たに提案したp-InGaN/AlGaNより成るひずみpn接合ゲート構造により、ゲート順バイアス電圧増大と寄生抵抗の低減・オン電流の飛躍的増大が同時に実現可能なノーマリオフ型高電流GaN HEMTを開発する。