急峻温度勾配法による高品質SiCバルク結晶の高速溶液成長

研究課題

研究代表者	宇治原徹名古屋大学, 工学研究科, 助教授
研究期間 (年度)	2006
概要	背景: SiCは、高耐圧・高耐熱でSiを凌ぐ性能を有し、パワーデバイス材料として期待されている。SiCは様々な結晶構造をとり、中でも3C-SiCは絶縁膜と優れた界面を形成することから、実用上、最も有望である。SiCバルク結晶は通常昇華法で成長されるが、低温安定相の3C-SiCは、この方法では成長できないため、低温かつ高品質結晶の成長が可能な溶液成長によりバルク結晶を実現する。問題点: 溶液成長の最大の問題点は、成長速度が遅いことである。目的: 本研究では急峻温度勾配を利用することで、昇華法と同等の高速成長技術を実現する。