| 概要 | 本研究では正孔注入効率を改善することで有機EL素子の低駆動電圧や高発光効率化が期待できることから、正孔注入層として導電性高分子であるポリ(3-へキシルチオフェン)(PHT)を用い、これを混合LB法によって分子レベルで超薄膜化し、有機EL素子特性の評価を行い、導電性超薄膜を用いた正孔注入層を開発する。現在、有機EL素子の正孔注入層として主にポリ(3,4-エチレンジオキシテオフェン)(PEDOT)/ポリスチレンスルフォン酸(PSS)のスピンコート膜が用いられているが、スピンコート法では膜厚を分子レベル(3～10nm)で制御することはできない。また、正孔注入層としてはITO電極との界面が重要であり、膜厚は不必要である。そこで、混合LBによるPHT超薄膜を用いることで有機EL素子の低駆動電圧や高発光効率化が期待できる。
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