研究代表者 |
生田 博志 名古屋大学, 工学研究科
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2005
|
| 概要 | 申請者らは最近、従来の20倍以上強力な磁場をターゲット上に発生できるマグネトロンスパッタ装置を開発した。その結果、通常よりも2桁低い圧力下(高真空)で安定したスパッタが可能となり、高品位膜の成膜が期待される。雰囲気ガス圧が低いと平均自由行程が長いため、スパッタ粒子はきわめて高い直進性を持つ。本課題ではこの高い直進性を利用して、次世代LSIで必要とされる極細の層間コンタクトホール(viaホール)やトレンチへのCu膜の成膜技術を研究する。
|
|---|
