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強磁場スパッタ法によるviaホールへの成膜

研究課題

産学が連携した研究開発成果の展開 研究成果展開事業 地域事業 地域イノベーション創出総合支援事業 シーズ発掘試験

研究代表者

生田 博志  名古屋大学, 工学研究科

研究期間 (年度) 2005
概要申請者らは最近、従来の20倍以上強力な磁場をターゲット上に発生できるマグネトロンスパッタ装置を開発した。その結果、通常よりも2桁低い圧力下(高真空)で安定したスパッタが可能となり、高品位膜の成膜が期待される。雰囲気ガス圧が低いと平均自由行程が長いため、スパッタ粒子はきわめて高い直進性を持つ。本課題ではこの高い直進性を利用して、次世代LSIで必要とされる極細の層間コンタクトホール(viaホール)やトレンチへのCu膜の成膜技術を研究する。

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2016-04-26   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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