次世代ULSIに向けた超平坦金属/半導体低抵抗コンタクト形成技術の開発

研究課題

研究代表者	財満鎭明名古屋大学, 大学院工学研究科
研究期間 (年度)	2005
概要	次世代のシリコン超大規模集積回路作製のためには、ナノサイズで制御された極微細素子作製技術の確立が必要不可欠となる。そのためには、素子電極における低コンタクト抵抗を有する極微細金属/シリコン接合形成技術の開発が重要な課題の一つである。本研究では、その基礎技術として、原子レベルで制御された超平坦金属/半導体低抵抗コンタクト形成を目指して、シリコン基板上へ低抵抗な金属シリコン化合物(シリサイド)エピタキシャル薄膜形成法の開発を行う。