研究代表者 |
宇治原 徹 名古屋大学, 大学院工学研究科結晶材料工学専攻
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| 研究期間 (年度) |
2005
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| 概要 | 背景:SiCは、高耐圧・高耐熱などの面でSiを遥かに凌ぐ性能を有し、特にパワーデバイス材料として期待され、盛んに研究がなされている。SiCは様々な結晶構造を持つものが存在するが、中でも立方晶である3C-SiCは、デバイス構造作製上必要となる絶縁膜と優れた界面を形成するため、実用上、最も有望な構造である。問題点:高いデバイス特性を実現するには、良質なエピタキシャル成長層が必要で、さらにそのためには、良質な基板結晶が不可欠であるが、現在、良質な3C-SiC基板は存在しない。SiC基板結晶は通常昇華法で成長し、成長温度は2000°C以上となる。しかし、3C-SiCは1700°C以下で安定な相であり、この方法では成長できない。また、Si基板にCVDにより厚膜形成する方法があるが、結晶性が悪い。目的:低温で、かつ高品質結晶の成長が可能な溶液成長によって、3C-SiC基板結晶を実現する。
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