非接触マッピング式SiC基板抵抗率検査装置の実用化試験研究

研究課題

研究代表者	福澤理行京都工芸繊維大学, 大学院工芸科学研究科, 助教授
研究期間 (年度)	2006
概要	本研究は、高品質半絶縁性SiC 基板の非接触マッピング式抵抗率検査装置の実用化を目的とする。特に、非接触マッピングを実現することによって出荷前の抜き取り破壊検査を不要にする点に新規性があり、その実現手段として、申請者が考案した電荷周波数応答法を用いる点に独創性がある。SiC バルク単結晶は高周波パワーデバイスやGaN エピウェハの基板材料として有望だが、現在米国Cree 社の寡占状態にあり、我が国の企業が量産に挑んでいる。非破壊検査は生産性改善に有効なので本装置は確実なニーズがあり、実用化の可能性は極めて高い。本研究では電荷周波数応答法に基づく抵抗率測定システムを試作し、市販SiC 基板検査に有効な測定抵抗率範囲と二次元マッピングの実現を目標とする。