| 概要 | SOI ウエハを用いた新たな3 軸検出静電容量型加速度センサを開発する.従来の3 軸加速度センサ構造に比して大幅に単純な構造であり,このため製造が簡便である.これは活性層(単結晶シリコン)のみの構造体で垂直方向(Z 軸)加速度を検出するために段差構造の縦型櫛型電極を用いており,これを同時に平面方向(X,Y 軸)にも用い,4 つの静電容量のみですべての軸の変位を差動検出することができる.すでに述べたように単純な構造であり,汎用のMEMS プロセスに適用することが容易であり,実用化の可能性は高い.本試験研究では,プロトタイプデバイスの設計と試作を行い,検出回路の工夫により3 軸加速度の検出を実現する.
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