| 概要 | 資源枯渇・地球温暖化等課題に対処するため,機器のインバータ化に代表されるパワーエレトクロ二クス技術の適用が推進されている。一方,従来のSi半導体デバイスを用いたパワーエレクトロニクス機器は,Siの材料物性が示す物理的限界を超えることができないため,ワイドバンドギャップ半導体であるSiCを用いた省エネルギーシステムが注目されている。しかし,現在はSi半導体デバイスを前提とした機器開発・回路設計が定着しており,これらに対してSiCをSiの代替として利用するだけでは普及に時間がかかることが危惧される。そこで申請者は,Si半導体デバイスでは物理的に動作不可能な超高温での動作に対してSiC半導体デバイスを適用することを考え,検討を行なっている。本申請に係る研究では,超高温での動作に供する電力変換回路の設計および,デバイスの実装方式について検討を行なう。
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