走査型容量原子間力顕微鏡を利用した半導体デバイス特性評価

研究課題

研究代表者	小林圭京都大学, 国際融合創造センター
研究期間 (年度)	2005
概要	代表研究者の小林らは、原子間力顕微鏡を利用して微小な静電気力を検出することにより、半導体表面における局所的なキャリア分布を計測することができる、走査型容量原子間力顕微鏡法の開発に成功した。この技術によって、半導体デバイスにおけるキャリア分布をナノスケールでの可視化できることはこれまでに既に示されているが、技術移転のためには、試料作製技術の確立、再現性の向上、定量化手法の確立といった、試料、実験、解析のそれぞれのステップにおいてブレークスルーが必要となっている。本研究課題では、とくに再現性の向上のために、キャリア分布評価のために必要となる印加電圧を低くして再現性を向上させる技術の開発に取り組む。