研究代表者 |
寺井 慶和 大阪大学, 大学院工学研究科, 助手
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| 研究期間 (年度) |
2006
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| 概要 | 有機ELや液晶ディスプレーといった低耐熱材料を用いた光デバイスでは、材料の劣化を防ぐため極力低温のプロセスが必要とされる。これらのデバイス作製では高絶縁性を示す透明酸化膜が必須であるが、その低温成長は困難であり重要な検討課題となっている。現在はSi酸化膜が絶縁体として用いられているが、100°C以下で作製した場合Si酸化膜はヒドロキシル基(-OH)を多く含有してしまい、低絶縁性かつ吸水性が高くなるという問題がある。そこで本研究では、高絶縁性かつ疎水性のSi系酸化膜を室温近傍で作製し、上記低耐熱デバイスへ応用することを最終目的とする。
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