新規強相関電子酸化物の探索と高効率電界制御型磁気メモリ素子への応用

研究課題

研究代表者	田中秀和大阪大学, 産業科学研究所, 助教授
研究期間 (年度)	2006
概要	強磁性トンネル接合構造と強磁性電界効果トランジスタ構造を組み合わせた新規メモリ構造により、書き込み時の大消費電力を低減し集積度を大幅に向上させることを可能とする不揮発性磁気メモリ素子(Magnetic Random Access Memory :MRAM)を、提案する新強磁性体(Fe3-x-yMnxZny)O4を用い作製する。