研究代表者 |
河村 裕一 大阪府立大学, 産学官連携機構先端科学イノベーションセンター, 助教授
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| 研究期間 (年度) |
2006
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| 概要 | 波長2～3μm帯で動作する赤外半導体レーザは、GaSb基板上のInGaAsSb等を用いたレーザが試作されているが、実用に耐え得る高性能レーザは未だ実現されていない。本研究では、新しい材料系であるInP基板上のInGaAsSbN半導体を用いることにより、上記の波長領域において室温で動作可能な高性能赤外レーザを実現することを目的としている。この材料系は光通信用レーザの高度な作製技術が適用可能であると共に、レーザの発光波長を決めるうえで重要なバンドギャップなどの材料物性に、従来に無い大きな設計自由度を有しており、波長2～3μm帯の高性能赤外レーザの材料として極めて有望である。
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