巨大誘電分極材料によるメモリ素子超高集積化の検討

研究課題

研究代表者	奥山雅則大阪大学, 基礎工学研究科
研究期間 (年度)	2005
概要	これまで用いられてきているPZT膜の標準分極量の約5倍とういう巨大な残留分極を有するBiFeO3をPLD法やCVD法により作成し、その強誘電性を評価するとともに、巨大分極発現のメカニズムを探る。さらにこの薄膜の強誘電体不揮発メモリFeRAMセンサ・マクチュエータ等のデバイス応用への可能性を探る。