酸化物ヘテロ構造による電界制御型磁気メモリ(MRAM)素子の開発

研究課題

研究代表者	田中秀和大阪大学産業科学研究所
研究期間 (年度)	2005
概要	強磁性トンネル接合構造と強磁性電界効果トランジスタ構造を組み合わせた新規メモリ構造により、書き込み時の大消費電力を低減し集積度を大幅に向上させることを可能とする不揮発性磁気メモリ素子(Magnetic Random Access Memory :MRAM)を提案した新強磁性体(Fe3-xMnx)O4を用い作製する。